英飞凌扩展氮化镓晶圆生产

摘要： 7月7日消息，据媒体报道，英飞凌宣布其在12英寸（300mm）晶圆上的可扩展氮化镓（GaN）生产技术已成功步入正轨。公司计划于2025年第四季度开始向客户提供首批样品。英飞凌强调...

7月7日消息，据媒体报道，英飞凌宣布其在12英寸（300mm）晶圆上的可扩展氮化镓（GaN）生产技术已成功步入正轨。公司计划于2025年第四季度开始向客户提供首批样品。

英飞凌强调，其作为垂直整合制造商（IDM）的生产策略，能够确保更高质量的产品、更快的上市时间以及出色的设计和开发灵活性。

公司掌握了在硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）这三种关键材料上进行300mm晶圆生产的技术。GaN半导体因其更高的功率密度、更快的开关速度和更低的功率损耗优势，可实现更紧凑的设计，从而显著降低智能手机充电器、太阳能逆变器、工业及人形机器人等电子设备的能耗和发热。

英飞凌是全球首家成功在现有基础设施中开发出300mm GaN晶圆技术的半导体制造商。与当前主流的200mm晶圆相比，300mm晶圆生产技术更先进、效率更高，更大的晶圆直径使每片晶圆的芯片产量提升至原来的2.3倍。

与此同时，有传闻称晶圆代工龙头台积电（TSMC）将退出GaN晶圆代工市场，其位于中国台湾新竹的相关产线将停止生产。

台积电已向DigiTimes证实此消息，表示经过全面评估后，基于市场状况和公司长期业务策略的考量，决定在未来两年内逐步退出GaN晶圆代工业务。台积电表示正与客户紧密合作，以确保在过渡期内顺利完成业务交接。

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